(一)首先判斷線路板適合用雙向可控硅(晶閘管)還是單向可控硅(晶閘管)。
(二)根據(jù)線路的安裝條件要求,適合用插件可控硅還是貼片可控硅。
插件可控硅
1.插件可控硅(晶閘管)封裝外形有:TO-92、TO-251、TO-126、SOT-82、TO-202、TO-202-3、TO-262、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-3PS、TO-247、TO-247S、TG-C,RD91。
貼片可控硅
2.貼片可控硅(晶閘管)封裝外形有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-89、SOT-223、TO-252、TO-263。
3.一般可控硅在應用中會加裝散熱片,這方面的安裝空間要考慮到。
(三)查看可控硅的規(guī)格書,每個參數(shù)對應用線路的說明如下:
1、反向斷態(tài)重復峰值電壓(VRRM):晶閘管反向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時值反向電壓,包括所有的重復瞬態(tài)電壓。反向斷態(tài)重復峰值電壓為反向不重復峰值電壓(VRSM)的90%
2、正向斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM):晶閘管正向阻斷時允許重復加在晶閘管上最大瞬時正向電壓。正向斷態(tài)重復峰值電壓為正向斷態(tài)不重復峰值電壓(VDSM)的90%
3、反向重復峰值電流(IRRM):在門極斷路時,晶閘管加上反向重復峰值電壓時的峰值漏電流
4、斷態(tài)重復峰值電流(IDRM):在門極斷路時,晶閘管加上斷態(tài)重復峰值電壓時的峰值漏電流
5、門極觸發(fā)電流(IGT):使晶閘管由斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)所必需的最小門極電流
6、門極觸發(fā)電壓(VGT):產(chǎn)生門極觸發(fā)電流所必須的最小門極電壓
7、通態(tài)均方根電流(IT(RMS)):通態(tài)電流在一個周期內(nèi)的均方根值
8、通態(tài)平均電流(IT(AV)):通態(tài)電流在一個周期內(nèi)的平均值
9、浪涌電流(ITSM):在額定結(jié)溫下,在工頻正弦波半周期間元件所能承受的最大過載電流
10、通態(tài)電流臨界上升率(di/dt):在規(guī)定結(jié)溫下,晶閘管用門極開通時所能承受而不導致?lián)p壞的通態(tài)電流的最大通態(tài)電流上升率
11、斷態(tài)電壓臨界上升率(dv/dt):在額定結(jié)溫和門極斷路時,使元件從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的最低電壓上升率
12、峰值通態(tài)電壓(VTM):晶閘管通以π倍或規(guī)定倍數(shù)額定通態(tài)平均電流值時的瞬態(tài)峰值電壓
13、維持電流(IH):在室溫及門極斷路時,晶閘管被觸發(fā)導通后,從較大的通態(tài)電流下降到維持通態(tài)所必需的最小通態(tài)電流
14、擎住電流(IL):晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)換到通態(tài)瞬間移除觸發(fā)信號后,要保持元件維持通態(tài)所需要的最小電流。同一個晶閘管,通常擎住電流IL約為維持電流IH的2~4倍。
15、額定結(jié)溫(Tj):元件在正常工作條件下所允許的最高PN結(jié)溫度。
16、I2t值:浪涌電流的平方在其持續(xù)時間內(nèi)的積分值。
17、門極平均值耗散功率(PG(AV)):在規(guī)定條件下,門極正向所允許的最大平均功率。
(四)可控硅選擇絕緣還是非絕緣的,示例圖如下:
(四)可控硅IGT(觸發(fā)電流),通態(tài)均方根電流IT(RMS),重復峰值電壓,選擇如下:
可控硅IGT(觸發(fā)電流)是固定的,在設計線路中,一般驅(qū)動觸發(fā)電流是可控硅IGT(觸發(fā)電流)的2-3倍,可控硅在高溫或低溫條件下才能完全打開。通態(tài)均方根電流IT(RMS)負載是電阻性產(chǎn)品,舉例:常溫條件下功率在1A左右,選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT(RMS)在2-3A以上,具體在測試中保證可控硅溫度在90°C以下工作,負載是感性負載產(chǎn)品舉例:常溫條件下功率在1A左右,選擇可控硅通態(tài)均方根電流IT(RMS)在4-7A以上,具體在測試中保證可控硅溫度在90°C以下工作。重復峰值電壓:一般我們知道,民用單相全電壓范圍是在90~265V之間。而可控硅的正反向斷態(tài)重復峰值電壓(VDRM/VRRM)與輸入電壓成正比關(guān)系,通常情況下,可控硅的耐壓是輸入電壓的3倍,最小不得小于2倍。例如:中國的市電輸入是220V±10%,以標準有效值220V電壓來選取,功率器件在選耐壓時取其平均值,而市電平均值約為200V為基準,那么耐壓就是選取200V*3=600V。 而以全電壓最大值265V為基準,那么耐壓就是選取265V*3=800V。工業(yè)三相電壓范圍是在380V(-5%~﹢10%),因為波動較大,可以分三段即360、380、420為例:360*3=1000V;380*3=1200V;420*3=1200V。考慮到某些應用場合可控硅在關(guān)斷和打開瞬間有一個反向電動勢產(chǎn)生,所以在采用電壓波動比較大,外界環(huán)境比較復雜的三相電時留有余量,可以考慮選擇1600V和1800V或者2000V以上耐壓的可控硅。
(五)關(guān)于可控硅加裝散熱片。
一般負載功率大于4A以上,可控硅需要加裝散熱片??煽毓柙诠ぷ鳒囟雀哂?0度以上。需要加裝散熱。
(六)總結(jié)上述5點就可以真確的選好可控硅,用好可控硅。