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場效應(yīng)MOS
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產(chǎn)品中心
P
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LDO芯片
可控硅SCR
型號
Part
封裝
Packag
均方根電流
IT(RMS)Max
(A)
浪涌電流
ITSM
(A)
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
VDRM Min
(V)
斷態(tài)反向重復(fù)峰值電壓
VRRM Min
(V)
觸發(fā)電流
IGT3 Max
(mA)
結(jié)溫
 Tj
(℃)
Report
TYN610
TO-220  10 100 600 600 10 125
TYN612
SOT-223 12 120 600 600 10 125
TYN816
TO-92
16 160 800 600 15 125
TYN825
TO-92
25 250 800 600 25 125
TYN1225
TO-92
25
250

1200 600 25 125
TYN840
SOT-223
40 400 800 600 25 125